总结
文献试验方法：化学气相沉积法
原料： 硼粉：氧化硼：碳粉=2:1:1
纳米四氧化三铁作为催化剂沉积在硅片上，将原料放入石英舟中将硅片放到石英舟上方在保护气氛氩气中加热，先以载流量为300sccm,升温速率为25摄氏度/min，加热至250度，保温40分钟以去除反应物中的水分和石英管中间的空气；再以载流量为50sccm,升温速率为55摄氏度/min，加热至800-1000度，然后保温4小时，最后让其自然冷却至室温。
原料要求及相关相关参数：
物质 纯度（%） 熔点（摄氏度）
硼粉 99.99 2067
氧化硼 99.99 445
四氧化三铁 99 （10nm） 1594（高温易还原为三氧化二铁） 硅 1410
碳 99 3500
实际原料：
物质 纯度（%）
硼粉 95
氧化硼 90
四氧化三铁 500nm （10nm） 碳 99
总述：由于实际实验中原料的纯度及尺度和实验要求相差较大，所以该实验造成了比较大的实验误差，加大了实验难度。我进行的实验主要是在以上的进行复制，然后再根据自己的实验结果对其中的各种条件进行修正，来让自己的实验效果达到最好。以下是实验的一些数据、结果及分析。
1.最初实验阶段按照文献的实验方法进行操作，
B:B203:C=0.010:0.005:0.005(单位g);
第一阶段：载流量：300sccm、升温速率：25摄氏度/min
保温温度：250摄氏度、保温时间35min
第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：55摄氏度/min
保温温度：900摄氏度、保温时间
4h
硅片被片状硼的氧化物覆盖
实验结果：这次的实验结果很不理想，一共有四个样品，但都没有长成线，都是连成片的物质，该物质初步分析是由硼氧构成的，只有极少的个别球状突起上面有较短的线。
实验结果分析：这次的实验之所以会有大片的碰的氧化物附着在硅片
上主要是因为这次试验中的Fe3O4分布不均而且量少的原因，Fe3O4在硅片上分布较为松散而且其聚集半径都很小，导致气态的氧、硼容易在硅片上浸润，而且生长速度很快，很快便可以延伸附着在半径较小的Fe3O4聚集体上，阻碍了气态物质直接与其接触生长，只有一些半径较大的聚集体在被覆盖前有少量纳米线长了起来。
2.实验方案（Fe3O4的形态对纳米线生长的影响）：
B:B203:C=0.010:0.005:0.005(单位g);
第一阶段：载流量：300sccm、升温速率：25摄氏度/min
保温温度：250摄氏度、保温时间35min
第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：55摄氏度/min
保温温度：1000-1050摄氏度、保温时间4h
经过上次实验的分析，这次对Fe3O4进行了三种处理：Fe3O4聚
集体小而分散、Fe3O4聚集体大而分散、Fe3O4聚集体大而密集分布。
A.硅片上连成片状的附着物 B.聚集Fe3O4被覆盖
C.较为分散的Fe3O4上长出的纳米线 D.比较紧密的Fe3O4上长出的纳米线
E.
从纳米线中长出纳米线
F.实心纳米线 G.空心纳米线
由上面的图中可以看出，在没有Fe3O4的硅片上还是有一层附
着物，在较大的Fe3O4聚集体上也有大量的覆盖物。但从C、D可以
看出有较多的纳米线穿出覆盖物生长。这些纳米线应该是在大量气体产生之前再Fe3O4聚集体上由气相沉积产生的，当这些聚集体被覆盖以后暴露在外面的纳米线会继续长大。
在这些纳米线中有较多的是像E图中的，线里长出了线，这种生长机制可以有两种解释：1.在最初有较细的纳米线生产，而在它生长的过程中它的表层从下到上会横向生长变粗，而其横向生长速度不及初始较细的纳米线生长速度快就会产生像E中第一副图中的纳米线。
2.最初纳米线在聚集体上容易浸润，所以最初的生长时均匀的，但是随着纳米线的长大，由于纳米线表层的温度梯度大，所以纳米线表层的生长速度会高于里层，随着表层的生长及冷却会将里层的线挤压出来，就像E中第二幅图展示的那样。
在F和G图中分别出现了实心和空心的纳米线，其解释和上面G
图中的解释相似，实心纳米线是以方式1但比较均衡的生长而形成
的，而空心纳米线则是以方式2但里层生长过慢并没有将其挤压出来而形成的。
从图从还可以看纳米管趋向于生长为多边形形态。
3.实验方案（B和B203的相对含量对纳米线生长的影响）：
（1）B:B203:C=0.010:0.005:0.005(单位g);
（2）B:B203:C=0.015:0.005:0.005(单位g);
（3）B:B203:C=0.004:0.006:0.008(单位g);
（4）B:B203:C=0.010:0.002:0.005(单位g);
第一阶段：载流量：300sccm、升温速率：25摄氏度/min
保温温度：250摄氏度、保温时间35min
第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：55摄氏度/min
保温温度：1000-1050摄氏度、保温时间4h
通过改变反应物的配比探究纳米线的生长结果。如上所示，进行了三种不同原料配比的实验，实验结果是在（1）、（3）中长出纳米线而（2）（4）中没有长出纳米线，由此可以看出当硼和三氧化二硼的比大于三时便没有纳米线的产生，而当其比较2相比较小时还可以长出纳米线而其下限还需进一步实验探究。
值得一提的是这次的实验结果纳米线都是实心的，而它们的生长
环境与实验方案2中的相同，所以这个问题还需要再进行实验研究。
4.实验方案（保温温度对纳米线生长的影响）：
B:B203:C=0.010:0.005:0.005(单位g);
第一阶段：载流量：300sccm、升温速率：25摄氏度/min
保温温度：250摄氏度、保温时间35min
（1）第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：55摄氏度/min
保温温度：800摄氏度、保温时间4h
（2）第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：55摄氏度/min
保温温度：1000摄氏度、保温时间4h
（3）第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：55摄氏度/min
保温温度：1050摄氏度、保温时间4h
（4）第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：55摄氏度/min
保温温度：1100摄氏度、保温时间4h
这次通过改变最终反应温度来探究温度对纳米线生长的影响。 实验结果为（3）、（4）有纳米线生成而（1）、（2）并无纳米线生成。说明纳米线的生成需要达到一定的温度条件。在1000度以下并无纳米线的生成，而温度也不能过高，温度过高会引起Fe3O4的氧化。
5.实验方案（升温速率对纳米线生长的影响）：
B:B203:C=0.010:0.005:0.005(单位g);
第一阶段：载流量：300sccm、升温速率：25摄氏度/min
保温温度：250摄氏度、保温时间35min
（1）第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：55摄氏度/min
保温温度：1050摄氏度、保温时间4h
（2）第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：35摄氏度/min
保温温度：1050摄氏度、保温时间4h
（3）第二阶段：载流量：35sccm、升温速率：35摄氏度/min
保温温度：1050摄氏度、保温时间4h
在这次的方案中改变了升温速率，结果（1）中生长除了纳米线，但（2）（3）中并无纳米线。
升温速率过低使得固体气化过程比较缓慢且均衡，在一段时间内
会集中产生大量气态物质而导致纳米线在没生长到一定的高度时就
被大量的气态浸润包裹住。而升温速率过高产生的应影响还没有进行
试验探究。
总结，在这学期主要对影响硼纳米线制备的一些条件进行了探
究，已在上文叙述，而其中还有较多的问题和一些没有探究完全的因素条件，如：
实验中存在的问题：
1、石英舟重复使用，不能清洗干净，对实验中原料比重及纯度
产生影响；
2、原材料不能均匀混合影响反应程度及进程；
3、硅片太小容易和石英舟中的原材料接触；
4、石英管中的空气不能排除干净，易发生氧化反应；
5、四氧化三铁的沉积方法还需改进；
6、实验结果分析基于的试验样品太少，很容易出现误差问题。
遗留问题：
1、保温温度再细化分；
2、升温速率再细划分；
3、硼和三氧化二硼的配比再细划分；
4、升温速率在反应过程中的改变产生的影响；
5、保温时间对实验的影响；
6、如何生长出大量的纳米线（问什么有的四氧化三铁聚集体上 并无纳米线生长）。
注：由于纳米线较少，不能确定纳米线的成分，所以上述文章中都用纳米线而非硼纳米线。