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一种耐高温低方阻的导电银浆及其制备方法
申请号：[1**********]0.1
申请日：2013-01-15
申请(专利权)人
地址
发明(设计)人
主分类号
分类号宁波晶鑫电子材料有限公司315823 浙江省宁波市北仑区科技园庐山西路35号吴永藩 侯小宝 许明勇C09J9/02(2006.01)IC09J9/02(2006.01)I C09J163/00(2006.01)I
C09J167/00(2006.01)I C09J167/02(2006.01)I
C09J175/04(2006.01)I C09J11/04(2006.01)I
C09J11/06(2006.01)I
103059767A
2013-04-24
上海泰能知识产权代理事务所 31233
黄志达公开(公告)号公开(公告)日专利代理机构代理人
(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103059767A*
(10)授权公告号(10)申请公布号 CN 103059767 A
(43)申请公布日 2013.04.24(12)发明专利申请(21)申请号 [1**********]0.1
(22)申请日 2013.01.15
(71)申请人宁波晶鑫电子材料有限公司
地址315823 浙江省宁波市北仑区科技园庐
山西路35号
(72)发明人吴永藩 侯小宝 许明勇
(74)专利代理机构上海泰能知识产权代理事务
所 31233
代理人黄志达
(51)Int.Cl.C09J 11/06(2006.01)
C09J 9/02(2006.01)
C09J 163/00(2006.01)
C09J 167/00(2006.01)
C09J 167/02(2006.01)
C09J 175/04(2006.01)
C09J 11/04(2006.01)
权利要求书1页 说明书4页权利要求书1页 说明书4页
(54)发明名称
一种耐高温低方阻的导电银浆及其制备方法
(57)摘要
本发明涉及一种耐高温低方阻的导电银浆及
其制备方法，该银浆按重量分数包括：耐高温树
脂10～20%、溶剂20-30%、固化剂0.1～2%、固化
促进剂0.1～0.5%、微米银粉45～60%、纳米银颗
粒0.1～5%、纳米碳管0～3%；所述的耐高温树脂
为改性环氧树脂、饱和聚酯树脂和聚胺酯树脂中
的一种或几种。其制备方法包括：将各原料混合
均匀，然后在120-170℃固化30-90分钟即可。本
发明的导电银浆具有优异的耐高温性能，可达到
200℃以上，同时采用合适的银粉组合和添加剂，
方阻可以降至10m Ω/□mil 以下，应用前景广阔。
C N 103059767 A
CN 103059767 A权 利 要 求 书1/1页
1. 一种耐高温低方阻的导电银浆，该银浆按重量分数包括
：
所述的耐高温树脂为改性环氧树脂、饱和聚酯树脂和聚胺酯树脂中的一种或几种。
2. 根据权利要求1所述的一种耐高温低方阻的导电银浆，其特征在于：所述的改性环氧树脂具体为TGDDM 、饱和聚酯树脂具体为EK410和聚胺酯树脂具体为DM1035。
3. 根据权利要求1所述的一种耐高温低方阻的导电银浆，其特征在于：所述的溶剂为酯类溶剂或酮类溶剂。
4. 根据权利要求1所述的一种耐高温低方阻的导电银浆，其特征在于：所述的固化剂为2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-十一烷咪唑中的一种。
5. 根据权利要求1所述的一种耐高温低方阻的导电银浆，其特征在于：所述的固化促进剂为乙烯基硅烷有机偶朕、氨基硅烷有机偶朕、环氧基硅烷有机偶朕剂中的一种。
6. 根据权利要求1所述的一种耐高温低方阻的导电银浆，其特征在于：所述的乙烯基硅烷有机偶朕剂具体为KH550，氨基硅烷有机偶朕剂具体为KH560，环氧基硅烷有机偶朕剂具体为KH570以及促进剂FLQ-1。
7. 根据权利要求1所述的一种耐高温低方阻的导电银浆，其特征在于：所述的微米银粉为片状银粉，颗粒粒径为5-8μm ，松装密度为0.8-1.5。
8. 根据权利要求1所述的一种耐高温低方阻的导电银浆，其特征在于：所述的纳米银颗粒为球形银粉，粒径为0.1-0.3μm 。
9. 根据权利要求1所述的一种耐高温低方阻的导电银浆，其特征在于：所述的纳米碳管的截面直径为10～100nm 。
10. 如权利要求1所述的一种耐高温低方阻的导电银浆的制备方法，包括：
按重量分数将耐高温树脂10～20%、溶剂20-30%、固化剂0.1～2%、固化促进剂0.1～0.5%、微米银粉45～60%、纳米银颗粒0.1～5%和纳米碳管0～3%混合均匀，然后在130-170℃固化30-90分钟即可。
CN 103059767 A说 明 书
一种耐高温低方阻的导电银浆及其制备方法1/4页
技术领域
本发明属于导电银浆及其制备领域，特别涉及一种耐高温低方阻的导电银浆及其制备方法。[0001]
背景技术
导电银浆是适合电子工业发展的导电胶黏剂品种，它用于电器和电子封装中需要接通的地方，以粘代焊。导电银浆料是由导电性填料、粘结树脂、溶剂和添加剂组成。随着电子行业向功能化、微型化方向快速发展，使得对电子器件的耐热性和散热性的要求大幅提高，寻找耐热优良和低电阻的材料成为研发的方向。[0002]
发明内容
[0003] 本发明所要解决的技术问题是提供一种耐高温低方阻的导电银浆及其制备方法，该导电银浆耐高温、低方阻，利用不同填料的合理组合达到良好的综合性能，该方法操作简单，成本低。
[0004] 本发明的一种耐高温低方阻的导电银浆，该银浆按重量分数包括：
[0005]
[0006] 所述的耐高温树脂为改性环氧树脂、饱和聚酯树脂和聚胺酯树脂中的一种或几种。
所述的改性环氧树脂具体为TGDDM 、饱和聚酯树脂具体为EK410和聚胺酯树脂具体为DM1035。
[0008] 所述的溶剂为酯类溶剂或酮类溶剂。
[0009] 所述的固化剂为2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-十一烷咪唑中的一种。
[0010] 所述的固化促进剂为乙烯基硅烷有机偶朕、氨基硅烷有机偶朕、环氧基硅烷有机偶朕剂中的一种。
[0011] 所述的乙烯基硅烷有机偶朕剂具体为KH550，氨基硅烷有机偶朕剂具体为KH560，环氧基硅烷有机偶朕剂具体为KH570以及促进剂FLQ-1。[0007]
CN 103059767 A
[0012] 说 明 书2/4页所述的微米银粉为片状银粉，颗粒粒径为5-8μm ，松装密度为0.8-1.5。
[0013] 所述的纳米银颗粒为球形银粉，粒径0.1-0.3μm 。
[0014] 所述的纳米碳管的截面直径为10～100纳米。
[0015] 本发明的一种耐高温低方阻的导电银浆的制备方法，包括：
[0016] 按重量百分比将耐高温树脂10～20%、溶剂20-30%、固化剂0.1～2%、固化促进剂0.1～1%、微米银粉45～60%、纳米银颗粒0.1～5%、纳米碳管0～3%混合均匀，然后在130-170℃固化30-90分钟即可。
[0017] 本发明中采用的饱和聚酯树脂是直链结构的二元醇和二元酸合成的树脂，EK410由东莞市鹰鸿化工科技有限公司提供；聚氨酯树脂由二元或多元异氰酸酯与二元或多元羟基化合物作用而成的高分子化合物，DM1035由东莞市竞择树脂有限公司提供。
[0018] 本发明通过选择耐高温树脂及其组合物作为基材，匹配不同性能的导电性填料，不仅仅极大地提高了导电银浆的耐热性，而且也显著提高了导电银浆的导电性能，降低了电阻，实现了导电银浆耐高温、低方阻的目的。
[0019] 本发明针对目前市场上的导电胶耐热性差，银线路方阻高的缺点而发明的。本发明是由特殊的耐高温树脂及组合物构成，所以具有优异的耐高温性能，耐高温度可到200℃以上，同时采用合适的银粉及组合，方阻可以降至10m Ω/□mil 以下。
[0020] 本发明的导电银浆料可用于电器和电子封装过程中需要接通电路的地方，以粘代焊，尤其在笔记本电脑键盘线路和薄膜开关的印刷线路方面有着广泛应用。
[0021] 有益效果：
[0022] （1）本发明的导电银浆具有优异的耐高温性能，可到200℃以上，同时采用合适的银粉组合，方阻可以降至10m Ω/□mil 以下；
[0023] （2）本发明采用耐高温树脂，兼用适量的固化剂，极大的提高了银浆的耐高温性能，加入微米银粉和纳米银颗粒极大提高了其导电性能，降低了银线路的方阻，而加入导电和导热碳纳米管进一步提高了其导电和导热性能；
[0024] （3）本发明的导电银浆料可用于电器和电子封装过程中需要接通电路的地方，以粘代焊，尤其在笔记本电脑键盘线路和薄膜开关的印刷线路方面有着广泛应用。具体实施方式
[0025] 下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。所述的改性环氧树脂具体为TGDDM 、饱和聚酯树脂具体为EK410和聚胺酯树脂具体为DM1035
[0026] 实施例1
[0027] 本实施例中，耐高温低方阻的导电银浆的总重量为100g ，组成以重量分数计为：[0028]
CN 103059767 A说 明 书3/4页
将以上混合均匀，然后在140℃固化60分钟。测得其Tg 为200℃，方阻
8.3m Ω/□mil 。
[0030] 实施例2
[0031] 本实施例中，耐高温低方阻的导电银浆的总重量为100g ，组成以重量分数计为：
[0029]
[0032]
[0033]
将以上混合均匀，然后在145℃固化60分钟。测得其Tg 为200℃，方阻
9.1m Ω/□mil 。
[0035] 实施例3[0034]
[0036]
[0037] 本实施例中，耐高温低方阻的导电银浆的总重量为100g ，组成以重量分数计为：
CN 103059767 A说 明 书
[0038] 将以上混合均匀，然后在150℃固化60分钟。
9.6m Ω/□mil 。4/4页
测得其Tg 为200℃，方阻