将万用表拨至R×1k档。对于PNP型管，黑表笔接发射极E，红表笔接基极B，给发射极接上正向电压。锗管发射结正向导通电压VBE=0.15～0.3V，硅管的VBE=0.6～0.7V。采用读取电压法可确定VBE的大小，区分硅管与锗管。
对于NPN型管只需将表笔位置交换一下即可。
举列说明：选择MF 30型万用表R×1k档，按照50mA DC刻度读取n′①。
实例之一：事先已判定被测管为NPN管，按图1(b)的接法读出n′=21格，该档K′=0.03V格，故
VBE= K′n′=0.03V格/×21格=0.63V
被测管显然是硅管（实际型号为3DG6 B）。
实例之二：已知被测管属于PNP型，参照图1(a)的接法读取n′=5格，因此
VBE=0.03V格/×5格=0.15V
可以肯定是锗管、（实际型号3AK20为）
注意事项：
对于3AX31、3AX81型锗晶体管，应选择R×100档。这是因为R×1k档所提拱的电流较小，发射结不能完全导通，测出的值VBE会明显偏低。例如实测一只3AX31B的管子，在R×1k档读出n′=3格，VBE=0.09V；改拨到R×100档时n′=9格，VBE=0.27V。显然档的测量结果更接近于正常值。