单晶炉节能热场装置
技术领域
本实用新型涉及单晶炉技术领域，尤其涉及一种节能型单晶炉保温热场，包括设置在单晶炉炉体内壁处的保温筒，保温筒内圈设有加热器，加热器的内腔设有由埚杆支撑的坩埚，坩埚与埚杆之间安装有贴于坩埚底面的埚托，加热器的底部还安装有隔热板，隔热板中间加两层保温毡保温。本实用新型的节能型单晶炉保温热场采用新材料固化毡替代传通的石墨板，保证加热器的温度难以通过炉底散发，增强了底部的保温效果，导致热场整体的保温性能更加稳定，有利于晶体顺利生长，而且在不影响晶体质量的前提下，实现等径功率降低了约13-14kw/h，大大降低了硅片生产成本。
技术背景
电力消耗是直拉单晶硅的主要成本之一，平均约占总生产成本的30%，因此，有效降低拉晶功率对于降低成本有着重要的意义，采用保温性能良好的新材料做为保温材料以及紧凑型结构热场有利于降低拉晶功率。
发明内容
本实用新型专利提供了固化毡材料具有密度均匀，导热系数低的特点，隔热效率极佳，使用寿命长，表面平整光滑，几乎没有坑点，碳含量低，灰份低，能有效提高成晶率以及硅片质量，可广泛应用在高度真空预惰性气体炼矿熔炉，晶体生长炉，使用温度高达1600度；正是采用新材料以及对热场所结构重新设计，不但可以有效降低生产成本，还可以大大提高硅片品质，较大程度上降低生产成本。
本实用新型的技术方案为：
切克劳斯基法即CZ 直拉单晶法，通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体取出等步骤，完成晶体生长。众所周知，硅的熔点是1420度，如果是20寸热场装置、投料量100KG ，要维持这个温度，每小时需要耗费80KW.h 左右的电能，目前世界能源紧张，能源成本所占比重日益增加。如何降低生产能耗、降低生产成本，直接关系着企业的生存大计和行业兴衰。
为了克服以上生产过程能耗的浪费，达到降低生产成本目的，本实用型采取的技术方案为：本实用型新提供的这种CZ 直拉法单晶炉节能型热场，所述的热场结构包括采用新型保温材料替代炉底原有导热很强的石墨材料（炉底护盘和保温底板），而且在不影响产品质量以及增加采购成本的前提下，新设计出适合我司直拉单晶炉新型节能热场。
本实用新型的优点：在保证直拉单晶硅棒质量、成晶率以及生产周期的前提下，大大减少了晶体生产过程中热量损耗（拉制6.5寸单晶时，每炉每月可节约4836度的用电），从而较大程度上降低直拉法过程中的生产成本。
具体实施方式
下面对照旧附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式如所涉及的各种构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等，作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本实用新型的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
如图1所示，本实用新型所提供的这种所述的图1石墨炉底护盘和图2石墨保温板由新型设计的图3和图4所替代，此热场的设计原理，就是以减少热场在加温时的不必要散热；热量的传导主要是以热幅射的形式，形成热量的传输。
因此，如何减少热辐射散热是本发明的核心，减少热幅射的方式主要增加热幅射的反射及采用绝热材料阻挡热量的传导。
图1 图
2
图3 图4
说明书摘要
本实用新型的目的是提供一种高效的节能技术，采用新材料固化毡替代传通的石墨板，保证加热器的温度难以通过炉底散发，增强了底部的保温效果，导致热场整体的保温性能更加稳定，有利于晶体顺利生长，而且在不影响晶体质量的前提下，实现等径功率降低了约13-14kw/h。本实用新型专利提供了固化毡材料具有密度均匀，导热系数低的特点，隔热效率极佳，使用寿命长，表面平整光滑，几乎没有坑点，碳含量低，灰份低，能有效提高成晶率以及硅片质量，可广泛应用在高度真空预惰性气体炼矿熔炉，晶体生长炉，使用温度高达1600度；正是采用新材料以及对热场所结构重新设计，不但可以有效降低生产成本，还可以大大提高硅片品质，较大程度上降低生产成本。
属名:徐志群、周慧敏、汪奇、高俊伟
问题清单
请提供上述图1、图2、图3和图4的CAD 格式图，另外请增加改进前单晶炉热场的装配图和改进后单晶炉热场的装配图（均为CAD 格式图）。